Oleg Delendyk Jul 21, 2013:

Данный вопрос не касается указанного Вами патента Мне нечего добавить к сказанному ранее.

Enote Jul 21, 2013:

Учебники и оригинальная американская литература Олег, ваше отношение к учебникам и их прочтение или непрочтение вами не имеют никакого значения для обсуждаемого вопроса. Но если вы не доверяете учебникам и предпочитаете оригинальную американскую литературу, то позвольте процитировать and etching the optical dispersive layer, the nitride layer, and the silicon substrate simultaneously. Это из патента сотрудников IBM "Semiconductor etching methods" http://www.freepatentsonline.com/y2009/0047791.html

Oleg Delendyk Jul 21, 2013:

Этот учебник я прочитал в виде первого издания ещё на третьем курсе. С тех пор учебники для студентов меня не интересуют. Предпочитаю оригинальную американскую литературу. Ваша информация относительно кремния очень ценна. На этом мои возможности сеять разумное в этой теме исчерпаны. См.
http://ru.wikipedia.org/wiki/Планарная_технология

Enote Jul 20, 2013:

Травление Есть такой учебник Курносов А.И., Юдин В.В. "Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем", у меня 3 изд. 1986 г. Так вот там на стр. 54-71 довольно подробно описано, зачем и какими методами проводится травление, в т.ч. пластин, подложек, кремния (кремний - это полупроводник, он не является металлом или диэлектриком). Так что утверждение о травлении только металла и диэлектрика при производстве ИС оказывается ложным. Ну и последний вопрос - если пластину обработали травлением, то почему ее нельзя назвать протравленной?

Maria Mizguireva (asker) Jul 20, 2013:

"Видимо, здесь требуется "Примеч. пер."

да не потребуется. это текст вообще-то не технический, а финансовые и пр. отчеты. И там небольшое описание работы компании. так что и так сойдет.
спасибо большое вам всем за помощь!

Oleg Delendyk Jul 20, 2013:

Да, воздействию травителя подвергаются только отдельные участки слоя диэлектрика или металла. Всё остальное покрыто защитным слоем фоторезиста (полимера).

Enote Jul 20, 2013:

Олегу терминологическое отличие пластины от кристалла меня в этом вопросе не интересует, как и операции скрайбирования. Итак, пластину все же травят. Теперь можно обсудить другой вопрос. Правильно ли я понимаю ваше утверждение, что сам кремниевый кристалл/пластину/подложку при производстве ИС не травят, а травят исключительно диэлектрик или металл (в виде слоев)?

Oleg Delendyk Jul 20, 2013:

Собственно говоря, пластина -- это и есть кристалл. Но кристаллами называют ещё и части пластины, каждая из которых соответствует одной микросхеме (после разделения пластины на криисталлы). Слои наносят на пластину и, естественно, после этого не отделяют. Кристаллы "выполняют" посредством разделения пластины чаще всего с помощью скрайбирования и разламывания.

Enote Jul 20, 2013:

пластина так значит, операции травления все же подвергается пластина (и размещенные на ней кристаллы), раз слои на ней расположены? Или перед операций травления слои отделяют от кристалла?

Oleg Delendyk Jul 20, 2013:

Отвечаю на вопрос здесь, поскольку под ответом уже нет места. Слои наносят на кремниевые пластины, но это не отменяет предыдущее замечание. Видимо, здесь требуется "Примеч. пер."

Oleg Delendyk Jul 20, 2013:

"etch(ed)"в данной сфере может означать только удаление участков диэлектрика или металла с целью формирования топологии ИМС.

Maria Mizguireva (asker) Jul 20, 2013:

все-такие такие отчеты пишутся другими людьми. как правило - руководителями компании

Vadim Smyslov Jul 20, 2013:

ну так однокашники-то заканчивали факультет электронной техники, технологию изготовления полупроводников...
Ну да ладно, действительно офф-топ

Maria Mizguireva (asker) Jul 20, 2013:

не думаю. это фраза из отчетов Intel

Vadim Smyslov Jul 20, 2013:

офф ну у меня есть пара однокашников, нынче американцев. Мир тесен, вдруг их рук дело :-))

Maria Mizguireva (asker) Jul 19, 2013:

"соединенные" наверное подойдет.
но это точно не перевод с русского. Это действительно написали американцы

Vadim Smyslov Jul 19, 2013:

Выглядит как перевод с русского на английский По сути же правильно, здесь "etch(ed)" означает соединение посредством проводящих слоев а подложке. Эти проводники в том числе могут быть образованы путем травления, что объясняет применение указанного слова. Думаю, стоит подумать о необходимости буквального перевода. Возможно, достаточно использовать "соединенные, подключенные"