So ganz will sich bei mir die Verbindung zwischen beiden Ausdrücken noch nicht einstellen; das hat wohl aber etwas damit zu tun, dass ich vermute, dass das von heimo genannte Patent gar kein EN-Original ist, sondern eher wie dieses hier:
"Thus, one side of the well without source / drain formation is doped with impurities of the same polarity as the well, and a region having an impurity concentration as high as 1E20 / cm 3 (this is called a pickup region) is applied, and a bulk bias is applied thereto. have. On the other hand, the pickup region is also used to prevent the latch-up phenomenon between the PMOS transistor and the NMOS transistor, the pickup region is often referred to as a guard ring (guardring)....However, the circuit in the core region must include a pickup region to prevent bulk biasing and latch up."
https://patents.google.com/patent/KR20050005711A/enIn Koreanisch poste ich das nun nicht; kann man aber nachschauen. Ich weiß auch nicht, inwiefern dem englischen Text hier zu trauen ist. Klingt irgendwie nach Leckströmen, aber vielleicht kann das jemand anders besser beurteilen.
Beste Grüße
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