This site uses cookies.
Some of these cookies are essential to the operation of the site,
while others help to improve your experience by providing insights into how the site is being used.
For more information, please see the ProZ.com privacy policy.
English to Russian translations [PRO] Tech/Engineering - Computers: Hardware
English term or phrase:3-D Tri-Gate transistor
These processors use 22-nanometer (nm) transistors and our Tri-Gate transistor processor technology. Our Tri-Gate transistor technology is the world’s first **3-D Tri-Gate transistor** on a production technology.
(куда ж пропал мультитран? без него, как без рук! плачу и рыдаю!)
Для краткости. Строго говоря, правильнее их называть "транзистор с трехмерной структурой затвора по технологии Tri-Gate"
Intel продемонстрировала трёхмерные транзисторы и чипы Ivy ... www.3dnews.ru/610625 04 мая 2011 г. - Как сообщает Intel, трёхмерные транзисторы Tri-Gate, созданные с соблюдением 22-нм норм техпроцесса и работающие на низком ...
тогда надо оставлять как есть. Это как "Кока-Кола", которую нельзя ни называть как-то по другому, ни даже склонять: "Утоли свою жажду - выпей Кока-Кола", не говоря уж о невозможности упоминания про Пепси ;)
строго говоря, это годовой отчет для акционеров и комиссии по ценным бумагам. Технического там мало (иначе я бы вообще не взялась бы переводить). В основном всякое бла-бла-бла про то, что мы самые клевые и финансовые результаты.
Может и стоит сохранить эту "пузомерку" в первозданном виде. Все зависит от типа документа. Если это рекламно-маркетинговый буклет, то пусть себе... Но в техническом обзоре, к примеру, я бы писал как-то так: технология тройного объемного затвора Intel (3D Tri-Gate). В скобочках-с...
текст написан "под Intel" (еще одно подтверждение - упоминание 22-нм процесса). Словечко "Tri-Gate" придумали в Intel и суют его куда не попадя, так что лучше сохранять его "как есть" и не переводить.
"лучшие" и "самые" - это обычный маркетинговый треп. А вот "первые в мире" - это уже факт. Например, "лучший в мире космонавт" - это бла-бла-бла. А "первый в мире космонавт" - это уж про кого попало не скажешь.
Если бы было написано Tri-Gate(TM), или Tri-Gate(C), не было бы вопросов. А так технология трехзатворного транзистора придумана давным-давно, и не Intel, а трудно сказать кем (например, японцы очень давно об этом писали и, наверное, как-то тоже между собой ее называют, а российские разработчики тоже называют ее по-своему: ТРИЗ). Tri-Gate - это просто Intel'овский вариант (кстати, пока еще не реализованный).
Что качается трех-в-одном или одного трехкомпонентного, то тут дело вкуса, но по логике, они даже формируются на разных стадиях технологического процесса. Если процесс остановить в какой-то момент, то останется один (или два) затвора. По-моему, для такого дела больше подходит "трехзатворный транзистор", чем "тройной затвор".
А уж оставлять 3D при переводе - это совсем незачем (я бы даже сказал, проявлять дурной вкус)
Если затворы внутри соединены и имеется только один "внешний" вывод (т.е. управлять ими раздельно нельзя), то у транзистор один затвор с точки зрения схемотехники. А что там внутри - это дело технологов. Впрочем, название технологии все равно не переводится
Трехмерную структуру имеет не затвор, а сам транзистор: три канала и три затвора (раздельных, разных затвора в разных каналах транзистора и слоях кремниевой пластины, хотя и электрически соединенных).
Короче, я еще раз подтверждаю свой вариант: "трехзатворный транзистор с объемной структурой"
Все верно: затвор имеет трехмерную (не планарную) структуру, как я и писал. И компания Intel, по сути, не изобрела ничего нового, но раз ее маркетологи "навесили" технологию Tri-Gate, то уж, будьте добры, соблюдайте "правила игры": упоминайте Tri-Gate как технологию (как и технологию Hyperthreading и иже с ними).
Суть истории заключается в переходе от традиционной планарной технологии полевых транзисторов в производстве микросхем к многослойной, транзистор делается трехслойным (с тремя каналами и затворами), но с одним общим истоком и стоком. Структура получается не планарной, а "объемной", которую обозвали гламурным модным словом 3D. Преимущества таких сложных транзисторов заключается в снижении тока утечки через затвор, который при огромном количестве транзисторов приводит к существенному вкладу в паразитный разогрев микросхем. См. дополнение в моем ответе. Эти технологии развиваются еще с конца 90-х годов.
А все эти Tri-Gate и 3D - это гламурные придумки маркетологов.
Затвор все равно остается одним (хотя и состоящим их трех частей). Если считаете, что это не так, приведите ссылку в "серьезной" (как вы говорите) публикации.
Речь идет именно от о трехзатворных транзисторах. Погугльте этот термин и вы все найдете в серьезных публикациях, а не в "околонанистской" публицистике (да еще и переводной). Все, что связано с нанотехнологиями, в журналистском изложении обрастает каким-то невероятным мутным мохом
(А то места не хватает.) Я не понимаю, как можно говорить, что транзистор"трехзатворный", если затвор у него все равно остается ОДИН. Ну, можно, сказать "тройной затвор", как http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?01/18/69, но никак не "трехзатворный транзистор".
Для краткости. Строго говоря, правильнее их называть "транзистор с трехмерной структурой затвора по технологии Tri-Gate"
Intel продемонстрировала трёхмерные транзисторы и чипы Ivy ... www.3dnews.ru/610625 04 мая 2011 г. - Как сообщает Intel, трёхмерные транзисторы Tri-Gate, созданные с соблюдением 22-нм норм техпроцесса и работающие на низком ...
Igor Savenkov Russian Federation Local time: 19:28 Specializes in field Native speaker of: Russian PRO pts in category: 135 4 corroborated select projects in this pair and field
Grading comment
thanks!
Notes to answerer
Asker: мне как раз сгодится краткий вариант. спасибо!